Анализ структурных дефектов в выращенном по методу чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе : Автореферат диссерт. : 01.04.07 / Власукова,Людмила Александровна.

Автор(ы): Власукова, Людмила АлександровнаЯзык документа: Русский.Страна публикации: BY.Издательство: Мн., 1995Физическая характеристика: 15с.ББК: 01.04.07Предметная категория: Белорусский национальный документ
Метки из этой библиотеки: Меток нет.
Зарегистрируйтесь, чтобы добавлять метки.
    средняя оценка: 0.0 (0 голосов)
Тип единицы Местонахождение Состояние
Авторефераты диссертаций/диссертации Авторефераты диссертаций/диссертации
ГОНБ. Книгохранение
Выдается

Нет никаких комментариев для этого документа.

Войти в учётную запись для возможности публиковать комментарии.
Языки: