000 03238cam0 2200493 ia4500
001 BY-CNB-br5716421
100 ^a20230919d2023 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^dbel
^drus
^deng
102 ^aBY
105 ^aa ||||000yy
109 ^aac
200 1 ^aФормирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
^eспециальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
^fДоан Тхе Хоанг
^gУчреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
210 ^aМинск
^d2023
215 ^a21 с.
^cил., схемы
300 ^aРезюме параллельно на белорусском, русском, английском языках
320 ^aБиблиография: с. 17—18 (13 назв.)
517 1 ^aФормирование тонкоплёночных слоёв с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением
606 ^3BY-NLB-ar34171
^aТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar34161
^aТОНКИЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar1670946
^aСЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar9573
^aДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar4777100
^aМАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar19558
^aНАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar39284
^aЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar15827
^aЛЕГИРОВАНИЕ
^2DVNLB
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
675 ^a621.793.74:539.216.2(043.3)
^v4
^zrus
686 ^a32
^2rubbk
686 ^a47.13.11
^2rugasnti
^96
686 ^a47.13.33
^2rugasnti
^96
686 ^a47.09.31
^2rugasnti
^96
686 ^a55.22.23
^2rugasnti
^96
686 ^a55.20.15
^2rugasnti
^96
686 ^a05.27.06
^2nsnrrb
690 ^a5
^xRSEK
^2Base
^9BY-HR0000
700 0 ^3BY-CNB-ar2722762
^aДоан Тхе Хоанг
^cмикроэлектроника
712 0 2 ^3BY-NLB-ar186905
^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^cМинск
^4595
^4995
801 0 ^aBY
^bBY-HM0005
^c20230921
^gRCR
801 2 ^aBY
^bBY-HR0000
^c20240226
^gRCR
035 ^a(BY-HR0000)BY-CNB-br5716421
899 0 ^aBY-HR0000
^iД 55