000 | 03238cam0 2200493 ia4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BY-CNB-br5716421 | ||
100 | ^a20230919d2023 k y0rusy50 ca | ||
101 | 0 |
^arus ^dbel ^drus ^deng |
|
102 | ^aBY | ||
105 | ^aa ||||000yy | ||
109 | ^aac | ||
200 | 1 |
^aФормирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением ^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук ^eспециальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники ^fДоан Тхе Хоанг ^gУчреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники" |
|
210 |
^aМинск ^d2023 |
||
215 |
^a21 с. ^cил., схемы |
||
300 | ^aРезюме параллельно на белорусском, русском, английском языках | ||
320 | ^aБиблиография: с. 17—18 (13 назв.) | ||
517 | 1 | ^aФормирование тонкоплёночных слоёв с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением | |
606 |
^3BY-NLB-ar34171 ^aТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ^2DVNLB |
||
606 |
^3BY-NLB-ar34161 ^aТОНКИЕ ПЛЕНКИ ^2DVNLB |
||
606 |
^3BY-NLB-ar1670946 ^aСЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ ^2DVNLB |
||
606 |
^3BY-NLB-ar9573 ^aДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ^2DVNLB |
||
606 |
^3BY-NLB-ar4777100 ^aМАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ ^2DVNLB |
||
606 |
^3BY-NLB-ar19558 ^aНАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ^2DVNLB |
||
606 |
^3BY-NLB-ar39284 ^aЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ^2DVNLB |
||
606 |
^3BY-NLB-ar15827 ^aЛЕГИРОВАНИЕ ^2DVNLB |
||
615 |
^3BY-SEK-ar1826174 ^aБелорусский национальный документ |
||
675 |
^a621.793.74:539.216.2(043.3) ^v4 ^zrus |
||
686 |
^a32 ^2rubbk |
||
686 |
^a47.13.11 ^2rugasnti ^96 |
||
686 |
^a47.13.33 ^2rugasnti ^96 |
||
686 |
^a47.09.31 ^2rugasnti ^96 |
||
686 |
^a55.22.23 ^2rugasnti ^96 |
||
686 |
^a55.20.15 ^2rugasnti ^96 |
||
686 |
^a05.27.06 ^2nsnrrb |
||
690 |
^a5 ^xRSEK ^2Base ^9BY-HR0000 |
||
700 | 0 |
^3BY-CNB-ar2722762 ^aДоан Тхе Хоанг ^cмикроэлектроника |
|
712 | 0 | 2 |
^3BY-NLB-ar186905 ^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ^cМинск ^4595 ^4995 |
801 | 0 |
^aBY ^bBY-HM0005 ^c20230921 ^gRCR |
|
801 | 2 |
^aBY ^bBY-HR0000 ^c20240226 ^gRCR |
|
035 | ^a(BY-HR0000)BY-CNB-br5716421 | ||
899 | 0 |
^aBY-HR0000 ^iД 55 |