| 000 | 02607cam0 2200433 ia4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BY-CNB-br5731609 | ||
| 035 | ^a(BY-HR0000)BY-CNB-br5731609 | ||
| 100 | ^a20240321d2024 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 |
^arus ^drus ^dbel ^deng |
|
| 102 | ^aBY | ||
| 105 | ^aa m 000yy | ||
| 109 |
^aac ^aaa |
||
| 200 | 1 |
^aСтруктурно-фазовые изменения в гетерослоях на основе Si, Ge, Sn, SnO2 при их формировании и импульсной лазерной обработке ^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук ^eспециальность 01.04.10 Физика полупроводников ^fПрокопьев Станислав Леонидович ^gБелорусский государственный университет |
|
| 210 |
^aМинск ^d2024 |
||
| 215 |
^a26 с. ^cил. |
||
| 300 | ^aРезюме параллельно на русском, белорусском, английском языках | ||
| 320 | ^aБиблиография: с. 17—23 (42 назв.) | ||
| 606 |
^3BY-NLB-ar2749267 ^aФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ^2DVNLB |
||
| 606 |
^3BY-NLB-ar45117 ^aНАНОЭЛЕКТРОНИКА ^2DVNLB |
||
| 606 |
^3BY-NLB-ar5269573 ^aКРЕМНИЕВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ ^2DVNLB |
||
| 606 |
^3BY-NLB-ar25458 ^aПРИЕМНИКИ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ^2DVNLB |
||
| 606 |
^3BY-NLB-ar24596 ^aПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ ^2DVNLB |
||
| 606 |
^3BY-NLB-ar30588 ^aСЛОИСТЫЕ СТРУКТУРЫ ^2DVNLB |
||
| 606 |
^3BY-NLB-ar6806725 ^aСЛОИСТЫЕ ПЛЕНКИ ^2DVNLB |
||
| 606 |
^3BY-NLB-ar35611 ^aФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ ^2DVNLB |
||
| 606 |
^3BY-NLB-ar39284 ^aЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ^2DVNLB |
||
| 615 |
^3BY-SEK-ar1826174 ^aБелорусский национальный документ |
||
| 675 |
^a621.382:544(043.3) ^v4 ^zrus |
||
| 686 |
^a22.3 ^2rubbk |
||
| 686 |
^a01.04.10 ^2nsnrrb |
||
| 690 |
^a5 ^xRSEK ^2Base ^9BY-HR0000 |
||
| 700 | 1 |
^3BY-PLRB-ar13496939 ^aПрокопьев ^bС. Л. ^gСтанислав Леонидович ^cфизик ^fрод. 1981 |
|
| 712 | 0 | 2 |
^3BY-NLB-ar167094 ^aБелорусский государственный университет ^cМинск ^4595 ^4995 |
| 801 | 0 |
^aBY ^bBY-HM0005 ^c20240401 ^gRCR |
|
| 801 | 2 |
^aBY ^bBY-HR0000 ^c20241202 ^gRCR |
|
| 899 | 0 |
^aBY-HR0000 ^iП 80 |
|