000 02544cam0 22004213ia4500
001 BY-CNB-br5762069
100 ^a20250217d2025 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^dbel
^drus
^deng
102 ^aBY
105 ^aa m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aФормирование, электропроводящие и зарядовые свойства пленок наноструктурированного графитоподобного нитрида углерода
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
^eспециальность 05.16.08 Нанотехнологии и наноматериалы (материалы для электроники и фотоники)
^fФам Ван Тунг
^gУчреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
210 ^aМинск
^d2025
215 ^a22 с.
^cил.
^d20 см
345 ^960 экз.
606 ^3BY-NLB-ar34161
^aТОНКИЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar6806725
^aСЛОИСТЫЕ ПЛЕНКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar14260543
^aНИТРИД УГЛЕРОДА
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar9616685
^aНАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ УГЛЕРОД
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar2493283
^aХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar2694522
^aВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar1967321
^aВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
^2DVNLB
606 ^3BY-NLB-ar5836467
^aМЕМРИСТОРЫ
^2DVNLB
675 ^a539.216.2:546.26'171.1-162:539.232(043.3)
^v4
^zrus
686 ^a30.377
^2rubbk
686 ^a55.20.01
^2rugasnti
^96
686 ^a55.01.33
^2rugasnti
^96
686 ^a05.16.08
^2nsnrrb
690 ^a5
^xRSEK
^2Base
^9BY-HR0000
700 0 ^3BY-CNB-ar2777708
^aФам Ван Тунг
^cнанотехнологии
712 0 2 ^3BY-NLB-ar186905
^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^cМинск
^4995
^4595
801 0 ^aBY
^bBY-HM0005
^c20250217
^gRCR
801 2 ^aBY
^bBY-HR0000
^c20250415
^gRCR
035 ^a(BY-HR0000)BY-CNB-br5762069
899 0 ^aBY-HR0000
^iФ 20