000 01863cam0 22004451ia4500
001 BY-HR0000-br398577
005 20211216132347.0
010 ^d500р.
100 ^a20120213d2004 m y0rusy50 ca
101 0 ^arus
102 ^aBY
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aФормирование из газовой фазы диэлектрических и проводящих слоев, интегрированных в твердотельные структуры микроэлектроники
^eАвтореферат диссертации
^e05.27.01
^fТурцевич,Аркадий Степанович.
210 ^aМн.
^d2004
675 ^a621.3.049.774.002:539.219.3.
^v4
^zrus
686 ^a05.27.01
^2nsnrrb
686 ^a47.09
^v4
^2rugasnti
610 0 ^aХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ
610 0 ^aГАЗОВАЯ ФАЗА
610 0 ^aСТРУКТУРА
610 0 ^aМОРФОЛОГИЯ
610 0 ^aТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
610 0 ^aМИКРОЭЛЕКТРОНИКА
610 0 ^aКОНДЕНСАТОРЫ
610 0 ^aДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ
610 0 ^aХIМIЧНАЕ АСАДЖЭННЕ
610 0 ^aГАЗАВАЯ ФАЗА
610 0 ^aМАРФАЛОГIЯ
610 0 ^aЦВЕРДАЦЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНIКА
610 0 ^aМIКРАЭЛЕКТРОНIКА
610 0 ^aКАНДЭНСАТАРЫ
610 0 ^aДЫЭЛЕКТРЫЧНЫЯ МАТЭРЫЯЛЫ
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
700 1 ^aТурцевич
^bА. С.
^gАркадий Степанович
801 0 ^aBY
^bBY-HR0000
^c20120213
^gpsbo
801 1 ^aBY
^bBY-HR0000
^c20170521
^gpsbo
690 ^a5
^2Base
^9BY-HR0000
^xRSEK
899 ^aBY-HR0000
^h