| 000 | 02039cam0 22005051ib4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BY-HR0000-br541908 | ||
| 005 | 20211216135413.0 | ||
| 010 |
^d18270р. ^a978-985-6845-03-4 |
||
| 100 | ^a20120213d2007 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | ^arus | |
| 102 | ^aBY | ||
| 105 | ^aa z 000yy | ||
| 109 | ^aaa | ||
| 200 | 1 |
^aФормирование из газовой фазы функциональных слоев интегральных микросхем ^fА.С.Турцевич, А.В.Емельянов |
|
| 210 |
^aМн. ^cИнтегралполиграф ^d2007 |
||
| 215 | ^a221с. | ||
| 320 | ^aБиблиогр.: с. 219-221 | ||
| 345 | ^9500 экз. | ||
| 686 |
^a32.844.15-06 ^v2 ^2rubbk |
||
| 686 |
^a47.33.31 ^v4 ^2rugasnti |
||
| 610 | 0 | ^aИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ | |
| 610 | 0 | ^aИЗГОТОВЛЕНИЕ | |
| 610 | 0 | ^aТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ | |
| 610 | 0 | ^aСЛОИСТЫЕ СТРУКТУРЫ | |
| 610 | 0 | ^aДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ | |
| 610 | 0 | ^aГАЗОВАЯ ФАЗА | |
| 610 | 0 | ^aОСАЖДЕНИЕ | |
| 610 | 0 | ^aХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ | |
| 610 | 0 | ^aIНТЭГРАЛЬНЫЯ МIКРАСХЕМЫ | |
| 610 | 0 | ^aВЫРАБ | |
| 610 | 0 | ^aТЭХНАЛАГIЧНЫЯ ПРАЦЭСЫ | |
| 610 | 0 | ^aСЛАIСТЫЯ СТРУКТУРЫ | |
| 610 | 0 | ^aДЫЭЛЕКТРЫЧНЫЯ МАТЭРЫЯЛЫ | |
| 610 | 0 | ^aГАЗАВАЯ ФАЗА | |
| 610 | 0 | ^aАСАДЖЭННЕ | |
| 610 | 0 | ^aХIМIЧНАЕ АСАДЖЭННЕ | |
| 615 |
^3BY-SEK-ar1826174 ^aБелорусский национальный документ |
||
| 700 | 1 |
^aТурцевич ^bА. С. ^gАркадий Степанович |
|
| 701 | 1 |
^aЕмельянов ^bА. В. ^gАнтон Викторович |
|
| 801 | 0 |
^aBY ^bBY-HR0000 ^c20120213 ^gpsbo |
|
| 801 | 1 |
^aBY ^bBY-HR0000 ^c20170521 ^gpsbo |
|
| 690 |
^a1 ^2Base ^9BY-HR0000 ^xRSEK |
||
| 899 |
^aBY-HR0000 ^h32.844.15-06 ^iТ 88 |
||