Зводны электронны каталог бібліятэк Гродзенскай вобласці
Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Шпаковский Сергей Васильевич ; Белорусский государственный университет
Автор(ы): Шпаковский, Сергей Васильевич, физикОтветственные организации: Белорусский государственный университет, МинскЯзык документа: Русский ; of summary,Белорусский ; of summary,Английский ; of summary,Русский.Страна публикации: BY.Издательство: Минск, 2012Физическая характеристика: 23 с.ББК: 01.04.10 ; 47.33.29 ; 47.09.29 ; 29.19.31 ; 29.19.11 ; 29.19.19 ; 29.19.21Note(s): Резюме на белорусском, русском и английском языках; Библиография: с. 17—20 (27 назв.).Наименование темы, используемое как предмет: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ | КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ | ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД | ЭЛЕКТРОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ | ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ | КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ | РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ | ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ | РЕАКТИВНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Предметная категория: Белорусский национальный документ Электронный адрес документа и доступ к нему: Щелкните здесь для доступа в онлайн| Тип единицы | Местонахождение | url | Состояние |
|---|---|---|---|
 Авторефераты диссертаций/диссертации |
ГОНБ. Книгохранение
|
http://dep.nlb.by/jspui/bitstream/nlb/41549/2/default.htm | Выдается |
Резюме на белорусском, русском и английском языках
Библиография: с. 17—20 (27 назв.)
80 экз.
+375 17 293 27 57
Нет никаких комментариев для этого документа.